Физические основы электроники
Контрольная работа
Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий) и охватывает три основных раздела дисциплины ФОЭ:
- электрофизические свойства полупроводников
- контактные явления в полупроводниках
- физические процессы в структурах биполярного и полевых транзисторов.
1. Дано:
τ = 10-6 с − время жизни неравновесных электронов в полупроводнике,
находящемся под внешним воздействием,
t = 2 мкс.
Найти:
Относительное уменьшение концентрации избыточных электронов за время t после выключения внешнего воздействия
∆n(t)/∆n(0) = ?
2. Дано:
Материал полупроводника кремний (Si)
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей Nd = 1017 см-3
в областях полупроводника, образующих резкий p-n –переход Na = 1014 см-3
Площадь перехода равна S = 0,001 см2
Температура образца T = 300 K
Диффузионная длина электронов Ln = 0,045 cм
Диффузионная длина дырок Lp = 0,03 см
Обратное напряжение на переходе U =5 В
Найти:
Обратный тепловой ток перехода I0 и барьерную емкость перехода СБ при подаче на переход обратного напряжения u
3. Дано:
Тип полевого транзистора с каналом n-типа
Схема включения по схеме ОИ
Удельная крутизна b = 11,0 мА/В2
Пороговое напряжение Uпор = 6,0 В
Напряжение между электродами Uси = 9,0 В
Диапазон изменения тока Iс = 0…20 мА
Найти:
Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора
Iс = Iс(Uзи).
Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи, соответствующем
изменению тока Iс
Страниц в документе — 8
Формат файла — doc
