Физические основы электроники_Контрольная работа

Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий) и охватывает три основных раздела дисциплины ФОЭ:

электрофизические свойства полупроводников, контактные явления в полупроводниках и физические процессы в структурах биполярного и полевых транзисторов.

1. Дано:

τ = 10-6 с    −   время жизни неравновесных электронов в полупроводнике,

находящемся под внешним воздействием,

t = 2 мкс.

Найти:

Относительное уменьшение концентрации избыточных электронов за время t после выключения внешнего воздействия

∆n(t)/∆n(0)  =  ?

2. Дано:

Материал полупроводника кремний (Si)

Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей                     Nd = 1017 см-3

в областях полупроводника, образующих резкий p-n –переход            Na = 1014 см-3

Площадь перехода равна S = 0,001 см2

Температура образца       T = 300 K

Диффузионная длина электронов Ln = 0,045 cм

Диффузионная длина дырок Lp = 0,03 см

Обратное напряжение на    переходе U =5 В

Найти:

Обратный тепловой ток перехода I0 и барьерную емкость перехода СБ при подаче на переход обратного напряжения u

3. Дано:

Тип полевого транзистора  с каналом n-типа

Схема включения                по схеме ОИ

Удельная крутизна     b = 11,0 мА/В2

Пороговое напряжение  Uпор = 6,0 В

Напряжение   между электродами    Uси = 9,0 В

Диапазон изменения  тока    Iс = 0…20 мА

Найти:
Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора
Iс = Iс(Uзи).
Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи, соответствующем
изменению тока Iс