Электроника-1

100 

Описание

  • Почему технологический разброс параметров однотипных элементов интегральных схем оказывается одинаковым?
  • Какой из указанных типов интегральных схем обладает наибольшей радиационной стойкостью?
  • Чем объясняются более высокие усилительные свойства и быстродействие вертикальных биполярных транзисторов по сравнению с горизонтальными?
  • Какой из перечисленных вариантов литографии позволяет получить наиболее высокую разрешающую способность?
  • Почему в интегральных схемах редко используются конденсаторы?
  • Укажите рисунок, на котором представлена структура многоэмиттерного биполярного транзистора.
  • Укажите рисунок, на котором представлена структура комплементарной пары МДП-транзисторов полупроводниковой интегральной схемы.
  • Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводни-ковых интегральных схем с помощью структуры кремний на диэлектрике
  • Укажите два основных класса интегральных схем, различающиеся функциональным назначением (сигналами, которые они преобразуют)
  • Укажите рисунок, на котором показана комбинированная изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем, сочетающая изоляцию с помощью диэлектрика и обратносмещенногоp-n-перехода.
  • Почему вертикальные биполярные транзисторы называются дрейфовыми?
  • Чем определяется плотность упаковки интегральной схемы?
  • Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупро-водниковойинтегральной схемы, являющийся результатом диффузии?
  • Укажите два возможных варианта создания конденсаторов полупро-водниковых интегральных схем.
  • Какую важнейшую специфическую проблему необходимо решать при создании многослойных интегральных схем?
  • Укажите рисунок, на котором представлена структура многоколлекторного биполярного транзистора.
  • Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупро-водниковойинтегральной схемы, являющийся результатом эпитаксии?
  • Укажите три причины, по которым повышение степени интеграции интегральных схем является магистральным направлением развития радиоэлектроники?
  • Укажите формулу для коэффициента K, определяющего степень интеграции интегральных схем (N – количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы)?
  • Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного транзистора с диодом Шоттки
  • Почему технологический разброс параметров однотипных элементов
    интегральных схем оказывается одинаковым?
  • Какой из указанных типов интегральных схем обладает наибольшей радиационной
    стойкостью?
  • Чем объясняются более высокие усилительные свойства и быстродействие
    вертикальных биполярных транзисторов по сравнению с горизонтальными?
  • Укажите два основных класса интегральных схем, различающиеся
    функциональным назначением (сигналами, которые они преобразуют)
  • Укажите формулу для коэффициента K, определяющего степень интеграции
    интегральных схем (N – количество элементов и компонентов на подложке
    интегральной схемы)?

 

и многие другие (в файле более 40 страниц с различными вопросами и ответами на них)…

Файл в формате — PDF