Электроника-1

• Почему технологический разброс параметров однотипных элементов интегральных схем оказывается одинаковым?
• Какой из указанных типов интегральных схем обладает наибольшей радиационной стойкостью?
• Чем объясняются более высокие усилительные свойства и быстродействие вертикальных биполярных транзисторов по сравнению с горизонтальными?
• Какой из перечисленных вариантов литографии позволяет получить наиболее высокую разрешающую способность?
• Почему в интегральных схемах редко используются конденсаторы?
• Укажите рисунок, на котором представлена структура многоэмиттерного биполярного транзистора.
• Укажите рисунок, на котором представлена структура комплементарной пары МДП-транзисторов полупроводниковой интегральной схемы.
• Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводни-ковых интегральных схем с помощью структуры кремний на диэлектрике
• Укажите два основных класса интегральных схем, различающиеся функциональным назначением (сигналами, которые они преобразуют)
• Укажите рисунок, на котором показана комбинированная изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем, сочетающая изоляцию с помощью диэлектрика и обратносмещенногоp-n-перехода.
• Почему вертикальные биполярные транзисторы называются дрейфовыми?
• Чем определяется плотность упаковки интегральной схемы?
• Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупро-водниковойинтегральной схемы, являющийся результатом диффузии?
• Укажите два возможных варианта создания конденсаторов полупро-водниковых интегральных схем.
• Какую важнейшую специфическую проблему необходимо решать при создании многослойных интегральных схем?
• Укажите рисунок, на котором представлена структура многоколлекторного биполярного транзистора.
• Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупро-водниковойинтегральной схемы, являющийся результатом эпитаксии?
• Укажите три причины, по которым повышение степени интеграции интегральных схем является магистральным направлением развития радиоэлектроники?
• Укажите формулу для коэффициента K, определяющего степень интеграции интегральных схем (N – количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы)?
• Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного транзистора с диодом Шоттки
• Почему технологический разброс параметров однотипных элементов
  интегральных схем оказывается одинаковым?
• Какой из указанных типов интегральных схем обладает наибольшей радиационной
  стойкостью?
• Чем объясняются более высокие усилительные свойства и быстродействие
  вертикальных биполярных транзисторов по сравнению с горизонтальными?
• Укажите два основных класса интегральных схем, различающиеся
  функциональным назначением (сигналами, которые они преобразуют)
• Укажите формулу для коэффициента K, определяющего степень интеграции
  интегральных схем (N – количество элементов и компонентов на подложке
  интегральной схемы)?

и многие другие (в файле более 40 страниц с различными вопросами и ответами на них)…

Файл в формате — PDF