Интегральная оптика

Тест по лекции 4

Поделиться в vk
Поделиться в telegram
Поделиться в whatsapp
Поделиться в twitter
Поделиться в email
Поделиться в skype
Поделиться в facebook

Вопросы

Список вопросов:

1. Входная чувствительность полупроводникового усилителя составляет не менее:

2. Какое будет усиление лазерного фотодиода G на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs при J =23 мА, n = 2/4*10 cм

3. Коэффициент затухания оптического волокна составляет 0.2 дБ/км. Длина волокна 120 км. Мощность источника излучения 2 мВт. Уровень мощности на выходе волокна равен:

4. Коэффициент затухания оптического волокна составляет 2 дБ/км. Длина волокна 5 км. Уровень мощности источника излучения -3 дБм. Мощность на выходе волокна равна:

5. Лазерные диоды работают при:

6. Минимальное значение фактора шума NF зависит от:

7. Прозрачность полупроводника определяется:

8. Уровень мощности оптического излучения составляет -16 дБм. Мощность равна:

9. Ширина запрещенной зоны полупроводникового диода составляет 0.8 эВ. Какую длину волны он может излучать?

10. Ширина полосы усиления Эрбиевых волоконно-оптических усилителей составляет: 

 

Формат файла — PDF

Ответы на вышеперечисленные вопросы. Файл в формате - PDF

Назад к списку тестов предмета - Интегральная оптика

Санкт-Петербургский государственный университет Бонч Бруевича

Перейти в личный кабинет университета